1、成像過程

CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后產(chǎn)生電子的基本原理相同，但是讀取過程不同：CCD 是在同步信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)的配合下以幀或行的方式轉(zhuǎn)移，整個(gè)電路非常復(fù)雜，讀出速率慢；CMOS 則以類似 DRAM的方式讀出信號(hào)，電路簡單，讀出速率高。

2、集成度

采用特殊技術(shù)的CCD讀出電路比較復(fù)雜，很難將A/D轉(zhuǎn)換、信號(hào)處理、自動(dòng)增益控制、精密放大和存儲(chǔ)功能集成到一塊芯片上，一般需要 3～8 個(gè)芯片組合實(shí)現(xiàn)，同時(shí)還需要一個(gè)多通道非標(biāo)準(zhǔn)供電電壓。

借助于大規(guī)模集成制造工藝，CMOS圖像傳感器能非常容易地把上述功能集成到單一芯片上，多數(shù)CMOS圖像傳感器同時(shí)具有模擬和數(shù)字輸出信號(hào)。

3、電源、功耗和體積 

CCD 需多種電源供電，功耗較大，體積也比較大。CMOS 只需一個(gè)單電源(3V~5 V)供電，其功耗相當(dāng)于 CCD 的1/10，高度集成CMOS 芯片可以做的相當(dāng)小。

4、性能指標(biāo)

CCD 技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟，而 CMOS 正處于蓬勃發(fā)展時(shí)期，雖然目前高端CMOS圖像質(zhì)量暫時(shí)不如CCD，但有些指標(biāo)（如傳輸速率等方面）已超過CCD。由于CMOS具有諸多優(yōu)點(diǎn)，國內(nèi)外許多機(jī)構(gòu)已經(jīng)應(yīng)用CMOS圖像傳感器開發(fā)出眾多產(chǎn)品。